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BSS131 H6327 /Infineon Technologies/分立半导体产品
BSS131 H6327的规格信息
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数据列表:BSS131

标准包装:3,000

类别:分立半导体产品

家庭:FET - 单

系列:SIPMOS®

包装:带卷(TR)

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能:逻辑电平门

漏源极电压(Vdss):240V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):110mA(Ta)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):14 欧姆 @ 100mA,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 56µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):3.1nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):77pF @ 25V

功率 - 最大值:360mW

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:PG-SOT23-3

其它名称:BSS131 H6327-NDBSS131H6327BSS131H6327XTSA1SP000702620

供应商BSS131 H6327
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谢先生Email:2851989182@qq.com询价
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150000+:¥0.291+:¥0.63
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25+:¥0.5001
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Mouser 贸泽电子
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